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“新型嵌入式阻变存储器(RRAM)研讨”名目

成为杭电首个万万级国度重点研发打算名目

       克日,国度重点研发打算“光电子与微电子器件及集成”重点专项2018年度名目立项名单公示竣事,杭州电子科技大学微电子研讨中间主任骆建军传授掌管的“新型嵌入式阻变存储器(RRAM)研讨”名目取得立项。这是杭电汗青上第一个掌管承当的万万级国度重点研发名目。

       国度重点研发打算由本来的国度重点根本研讨成长打算(973打算)、国度高手艺研讨成长打算(863打算)、国度科技撑持打算、国际科技协作与交换专项、财产手艺研讨与开辟基金和公益性行业科研专项等整合而成,是针对事关国计民生的严重社会公益性研讨,和事关财产焦点协作力、全体自立立异才能和国度宁静的计谋性、根本性、前瞻性严重迷信题目、严重个性关头手艺和产物,为公民经济和社会成长首要范畴供给延续性的撑持和引领。本名目估算近4000万元,取得1700余万中间财务经费撑持,打算基于曩昔研发功效根本上,在数据存储的焦点硬科技即“芯片”方面取得严重冲破。

     “新型嵌入式阻变存储器(RRAM)研讨”由骆建军传授团队牵头构造,中科院微电子所主动撑持,结合了杭电产学研协作基地杭州华澜微电子无限公司、中电58所、西安电子科技大学、复旦大学、无锡中微高科电子无限公司、无锡中微腾芯电子无限公司配合到场攻关,拟在新型半导体存储器件--阻变存储器(RRAM)方面取得冲破性的停顿,并买通从测验考试室到财产化的关头关键,完成财产化操纵。以后,嵌入式处置器(CPU)遍及操纵NOR FLASH(或型闪存)作为寄存法式代码和数据的堆栈,可是工艺前进到40nm(纳米)、28nm乃至14nm以下的环境下,FLASH没法统筹和CPU逻辑电路工艺兼容并且靠得住的进一步减少尺寸,全天下都在研讨新型的存储器件,阻变存储器(RRAM)便是此中的一种。RRAM是操纵了特种资料的电阻影象特征来完成数据的保管,外洋已起头财产化批量出产的测验考试,而国际还在测验考试室阶段。

       杭电微电子研讨中间在片上体系芯片(SOC)、算法等方面有丰硕经历,本名目便是要构造天下几家特点单元,深切测验考试室阶段的功效,研收回靠得住、可反复操纵的常识产权(IP)核,并经由过程试探半导体工艺、操纵各类算法、封装测试手艺来前进不变性、靠得住性,从而把我国新型贮存器RRAM手艺推动到国际前沿程度。

       骆建军传授掌管该名目,也是以成为我校首个领衔掌管万万级国度重点名目的教员,代表着杭电科研气力的晋升。微电子研讨中间团队是杭电第一个浙江省领军型立异团队,设想并财产化我国第一颗固态硬盘(SSD)集成电路节制器芯片,取得浙江省科技前进一等奖。该中间的首创者、我国闻名半导体专家邓先灿传授对此很欢快,她说:“集成电路芯片是电子信息体系的心脏,存储器芯片比方是数据的堆栈,存储节制器芯片是堆栈的看门人。咱们正在尽力,打造中国芯,完成一个胡想:把中国人的信息寄存在中国人本身的硬盘中。”

       邓传授的门生遍布环球,提到骆建军传授,她感应更加自豪的是:“骆建军有太多第一,比方,他是杭电第一个、也是迄今为止独一一个提早一年毕业的硕士研讨生,他是咱们杭电本身培育的第一个博士。更主要的是,我信任他还会给咱们更多的第一。”